IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V हेक्सफेट 580mOhms 44nC

इन्टरनेशनल रेक्टिफायरबाट पाँचौं पुस्ताको हेक्सफेटहरूले उन्नत प्रयोग गर्छन्प्रति सकेसम्म कम प्रतिरोध प्राप्त गर्न प्रशोधन प्रविधिहरूसिलिकन क्षेत्र। यो फाइदा, द्रुत स्विचिंग गतिसँग मिलेरर मजबूत उपकरण डिजाइन जुन HEXFET पावर MOSFET हरू हुन्को लागि प्रसिद्ध, डिजाइनरलाई अत्यन्तै कुशल उपकरण प्रदान गर्दछविभिन्न प्रकारका अनुप्रयोगहरूमा प्रयोगको लागि।

D-PAK लाई वाष्प चरण प्रयोग गरेर सतह माउन्टिङको लागि डिजाइन गरिएको हो,इन्फ्रारेड, वा वेभ सोल्डरिङ प्रविधिहरू। सिधा लिड संस्करण(IRFU श्रृंखला) प्वालबाट माउन्ट गर्ने अनुप्रयोगहरूको लागि हो। पावरसामान्य सतहमा १.५ वाट सम्मको अपव्यय स्तर सम्भव छमाउन्ट अनुप्रयोगहरू।