IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V हेक्सफेट 580mOhms 44nC

अन्तर्राष्ट्रिय रेक्टिफायरबाट पाँचौं जेनेरेसन HEXFETs ले उन्नत प्रयोग गर्दछप्रशोधन प्रविधिहरू प्रति न्यूनतम सम्भव अन-प्रतिरोध प्राप्त गर्नसिलिकन क्षेत्र।यो लाभ, छिटो स्विच गति संग संयुक्तर असभ्य उपकरण डिजाइन जुन HEXFET पावर MOSFET हरू हुन्को लागि राम्रोसँग परिचित, डिजाइनरलाई अत्यन्त कुशल उपकरण प्रदान गर्दछअनुप्रयोगहरूको विस्तृत विविधतामा प्रयोगको लागि।

D-PAK वाष्प चरण प्रयोग गरेर सतह माउन्ट गर्न डिजाइन गरिएको छ,इन्फ्रारेड, वा लहर सोल्डरिंग प्रविधिहरू।सीधा नेतृत्व संस्करण(IRFU श्रृंखला) होल माउन्टिङ अनुप्रयोगहरूको लागि हो।शक्तिसाधारण सतहमा 1.5 वाट सम्म अपव्यय स्तर सम्भव छमाउन्ट अनुप्रयोगहरू।