LM74800QDRRRQ1 ३-V देखि ६५-V सम्म, अटोमोटिभ आदर्श डायोड नियन्त्रक ब्याक टु ब्याक NFET हरू ड्राइभ गर्दै १२-WSON -४० देखि १२५ सम्म

LM7480x-Q1 आदर्श डायोड नियन्त्रकले बाह्य ब्याक टु ब्याक N-च्यानल MOSFET हरूलाई ड्राइभ र नियन्त्रण गर्दछ जसले पावर पथ ON/OFF नियन्त्रण र ओभरभोल्टेज सुरक्षाको साथ आदर्श डायोड रेक्टिफायरको अनुकरण गर्दछ। 3 V देखि 65 V को फराकिलो इनपुट आपूर्तिले 12-V र 24-V अटोमोटिभ ब्याट्री संचालित ECU हरूको सुरक्षा र नियन्त्रणलाई अनुमति दिन्छ। उपकरणले -65 V सम्म नकारात्मक आपूर्ति भोल्टेजहरूबाट भारहरू सहन र सुरक्षित गर्न सक्छ। एक एकीकृत आदर्श डायोड नियन्त्रक (DGATE) ले रिभर्स इनपुट सुरक्षा र आउटपुट भोल्टेज होल्डअपको लागि Schottky डायोड प्रतिस्थापन गर्न पहिलो MOSFET चलाउँछ। पावर पथमा दोस्रो MOSFET को साथ उपकरणले HGATE नियन्त्रण प्रयोग गरेर लोड डिस्कनेक्ट (ON/OFF नियन्त्रण) र ओभरभोल्टेज सुरक्षालाई अनुमति दिन्छ। उपकरणमा समायोज्य ओभरभोल्टेज कट-अफ सुरक्षा सुविधा छ। LM7480-Q1 मा दुई भेरियन्टहरू छन्, LM74800-Q1 र LM74801-Q1। LM74800-Q1 ले रेखीय नियमन र तुलनात्मक योजना बनाम LM74801-Q1 प्रयोग गरेर रिभर्स करेन्ट ब्लकिङ प्रयोग गर्दछ जसले तुलनात्मक आधारित योजनालाई समर्थन गर्दछ। पावर MOSFETs को सामान्य ड्रेन कन्फिगरेसनको साथ, मध्य-बिन्दुलाई अर्को आदर्श डायोड प्रयोग गरेर OR-ing डिजाइनहरूको लागि प्रयोग गर्न सकिन्छ। LM7480x-Q1 को अधिकतम भोल्टेज मूल्याङ्कन 65 V छ। सामान्य स्रोत टोपोलोजीमा बाह्य MOSFETs सँग उपकरण कन्फिगर गरेर 24-V ब्याट्री प्रणालीहरूमा 200-V अनसप्रेस्ड लोड डम्पहरू जस्ता विस्तारित ओभरभोल्टेज ट्रान्जिएन्टहरूबाट लोडहरू सुरक्षित गर्न सकिन्छ।