BUK9K35-60E,115 MOSFET BUK9K35-60E/SOT1205/LFPAK56D
♠ उत्पादन विवरण
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मान |
| निर्माता: | नेक्सेरिया |
| उत्पादन कोटि: | MOSFET |
| RoHS: | विवरणहरू |
| प्रविधि: | Si |
| माउन्टिङ शैली: | SMD/SMT |
| प्याकेज / केस: | LFPAK-56D-8 |
| ट्रान्जिस्टर ध्रुवता: | N- च्यानल |
| च्यानलहरूको संख्या: | २ च्यानल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: | ६० वी |
| आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान: | २२ ए |
| Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | 32 mOhms |
| Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज: | 1.4 V |
| Qg - गेट चार्ज: | 7.8 nC |
| न्यूनतम परिचालन तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम परिचालन तापमान: | + १७५ से |
| Pd - शक्ति अपव्यय: | ३८ डब्ल्यू |
| च्यानल मोड: | वृद्धि |
| योग्यता: | AEC-Q101 |
| प्याकेजिङ: | रील |
| प्याकेजिङ: | टेप काट्नुहोस् |
| प्याकेजिङ: | MouseReel |
| ब्रान्ड: | नेक्सेरिया |
| कन्फिगरेसन: | दोहोरो |
| पतन समय: | १०.६ एनएस |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| उठ्ने समय: | ११.३ एनएस |
| कारखाना प्याक मात्रा: | १५०० |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रान्जिस्टर प्रकार: | 2 N- च्यानल |
| सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय: | १४.९ एनएस |
| सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय: | ७.१ एनएस |
| भाग # उपनाम: | ९३४०६६९७७११५ |
| एकाइ वजन: | ०.००३९५८ औंस |
♠ BUK9K35-60E डुअल N-च्यानल 60 V, 35 mΩ तर्क स्तर MOSFET
TrenchMOS प्रविधि प्रयोग गरेर LFPAK56D (Dual Power-SO8) प्याकेजमा डुअल लॉजिक स्तर N- च्यानल MOSFET।यो उत्पादन उच्च प्रदर्शन अटोमोटिभ अनुप्रयोगहरूमा प्रयोगको लागि AEC Q101 मानकमा डिजाइन गरीएको छ।
• दोहोरो MOSFET
Q101 अनुरूप
• दोहोरिने हिमस्खलन मूल्याङ्कन
• 175 °C रेटिङको कारण तापीय रूपमा माग गर्ने वातावरणको लागि उपयुक्त
• 175 °C मा 0.5 V भन्दा बढी VGS(th) रेटिङको साथ साँचो तर्क स्तर गेट
• १२ वी अटोमोटिभ प्रणालीहरू
• मोटर, बत्ती र solenoid नियन्त्रण
• प्रसारण नियन्त्रण
• अल्ट्रा उच्च प्रदर्शन पावर स्विचिंग
