SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ उत्पादन विवरण
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मान |
| निर्माता: | विसय |
| उत्पादन कोटि: | MOSFET |
| प्रविधि: | Si |
| माउन्टिङ शैली: | SMD/SMT |
| प्याकेज / केस: | SOT-23-3 |
| ट्रान्जिस्टर ध्रुवता: | P- च्यानल |
| च्यानलहरूको संख्या: | १ च्यानल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: | ८ वि |
| आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान: | ५.८ ए |
| Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | 35 mOhms |
| Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज: | १ वि |
| Qg - गेट चार्ज: | 12 nC |
| न्यूनतम परिचालन तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम परिचालन तापमान: | + 150 C |
| Pd - शक्ति अपव्यय: | 1.7 W |
| च्यानल मोड: | वृद्धि |
| व्यापार नाम: | TrenchFET |
| प्याकेजिङ: | रील |
| प्याकेजिङ: | टेप काट्नुहोस् |
| प्याकेजिङ: | MouseReel |
| ब्रान्ड: | Vishay अर्धचालक |
| कन्फिगरेसन: | एकल |
| पतन समय: | १० एनएस |
| उचाइ: | 1.45 मिमी |
| लम्बाइ: | 2.9 मिमी |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| उठ्ने समय: | २० एनएस |
| शृङ्खला: | SI2 |
| कारखाना प्याक मात्रा: | 3000 |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रान्जिस्टर प्रकार: | 1 P- च्यानल |
| सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय: | ४० एनएस |
| सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय: | २० एनएस |
| चौडाइ: | 1.6 मिमी |
| भाग # उपनाम: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| एकाइ वजन: | ०.००२८२ औंस |
• IEC 61249-2-21 परिभाषा अनुसार हलोजन-रहित
• TrenchFET® पावर MOSFET
• १००% आरजी परीक्षण गरियो
• RoHS निर्देशन 2002/95/EC अनुरूप
• पोर्टेबल यन्त्रहरूको लागि लोड स्विच
• DC/DC कनवर्टर
