SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

छोटो विवरण:

निर्माता: Vishay
उत्पादन कोटि: MOSFET
डाटा पाना:SI7461DP-T1-GE3
विवरण: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
RoHS स्थिति: RoHS अनुरूप


उत्पादन विवरण

विशेषताहरु

उत्पादन ट्यागहरू

♠ उत्पादन विवरण

उत्पादन विशेषता विशेषता मान
निर्माता: विसय
उत्पादन कोटि: MOSFET
RoHS: विवरणहरू
प्रविधि: Si
माउन्टिङ शैली: SMD/SMT
प्याकेज/केस: SOIC-8
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता: P- च्यानल
च्यानलहरूको संख्या: १ च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: ३० वी
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान: ५.७ ए
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: 42 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज: - 10 V, + 10 V
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज: १ वि
Qg - गेट चार्ज: 24 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान: - 55 सी
अधिकतम परिचालन तापमान: + 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय: 2.5 W
च्यानल मोड: वृद्धि
व्यापार नाम: TrenchFET
प्याकेजिङ: रील
प्याकेजिङ: टेप काट्नुहोस्
प्याकेजिङ: MouseReel
ब्रान्ड: Vishay अर्धचालक
कन्फिगरेसन: एकल
पतन समय: ३० एनएस
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम: १३ एस
उत्पादन प्रकार: MOSFET
उठ्ने समय: ४२ एनएस
शृङ्खला: SI9
कारखाना प्याक मात्रा: २५००
उपश्रेणी: MOSFETs
ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 P- च्यानल
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय: ३० एनएस
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय: 14 एनएस
भाग # उपनाम: SI9435BDY-E3
एकाइ वजन: 750 मिलीग्राम

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

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    • कम थर्मल प्रतिरोध PowerPAK® प्याकेज कम 1.07 mm profileEC संग

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