STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ उत्पादन विवरण
| उत्पादन विशेषता | विशेषता मान |
| निर्माता: | STM माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स |
| उत्पादन कोटि: | MOSFET |
| RoHS: | विवरणहरू |
| प्रविधि: | Si |
| माउन्टिङ शैली: | SMD/SMT |
| प्याकेज/केस: | H2PAK-2 |
| ट्रान्जिस्टर ध्रुवता: | N- च्यानल |
| च्यानलहरूको संख्या: | १ च्यानल |
| Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: | 1.5 kV |
| आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान: | २.५ अ |
| Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: | ९ ओम |
| Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज: | ३ वि |
| Qg - गेट चार्ज: | २९.३ nC |
| न्यूनतम परिचालन तापमान: | - 55 सी |
| अधिकतम परिचालन तापमान: | + 150 C |
| Pd - शक्ति अपव्यय: | 140 W |
| च्यानल मोड: | वृद्धि |
| व्यापार नाम: | PowerMESH |
| प्याकेजिङ: | रील |
| प्याकेजिङ: | टेप काट्नुहोस् |
| प्याकेजिङ: | MouseReel |
| ब्रान्ड: | STM माइक्रोइलेक्ट्रोनिक्स |
| कन्फिगरेसन: | एकल |
| पतन समय: | ६१ एनएस |
| फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम: | २.६ एस |
| उत्पादन प्रकार: | MOSFET |
| उठ्ने समय: | ४७ एनएस |
| शृङ्खला: | STH3N150-2 |
| कारखाना प्याक मात्रा: | १००० |
| उपश्रेणी: | MOSFETs |
| ट्रान्जिस्टर प्रकार: | 1 N-च्यानल पावर MOSFET |
| सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय: | ४५ एनएस |
| सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय: | २४ एनएस |
| एकाइ वजन: | ४ ग्राम |
♠ N- च्यानल 1500 V, 2.5 A, 6 Ω टाइप।, PowerMESH Power MOSFETs TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 र TO247 प्याकेजहरूमा
यी पावर MOSFET हरू STMicroelectronics समेकित पट्टी-लेआउट-आधारित MESH ओभरले प्रक्रिया प्रयोग गरी डिजाइन गरिएको हो।परिणाम एक उत्पादन हो जुन अन्य निर्माताहरूबाट तुलनात्मक मानक भागहरूको प्रदर्शनमा मेल खान्छ वा सुधार गर्दछ।
• १००% हिमस्खलन परीक्षण गरियो
• आन्तरिक क्षमता र Qg न्यूनतम
• उच्च गति स्विचिङ
• पूर्ण रूपमा पृथक TO-3PF प्लास्टिक प्याकेज, क्रीपेज दूरी मार्ग 5.4 मिमी छ (प्रकार।)
• अनुप्रयोगहरू स्विच गर्दै
