IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

छोटो विवरण:

निर्माता: Infineon
उत्पादन कोटि: MOSFET
डाटा पाना:IPD50N04S4-08
विवरण: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS स्थिति: RoHS अनुरूप


उत्पादन विवरण

विशेषताहरु

उत्पादन ट्यागहरू

♠ उत्पादन विवरण

उत्पादन विशेषता विशेषता मान
निर्माता: इन्फिनोन
उत्पादन कोटि: MOSFET
प्रविधि: Si
माउन्टिङ शैली: SMD/SMT
प्याकेज / केस: TO-252-3
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता: N- च्यानल
च्यानलहरूको संख्या: १ च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज: ४० वी
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान: ५० ए
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध: 7.2 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज: - 20 V, + 20 V
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज: २ वि
Qg - गेट चार्ज: 22.4 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान: - 55 सी
अधिकतम परिचालन तापमान: + १७५ से
Pd - शक्ति अपव्यय: ४६ डब्ल्यू
च्यानल मोड: वृद्धि
योग्यता: AEC-Q101
व्यापार नाम: OptiMOS
प्याकेजिङ: रील
प्याकेजिङ: टेप काट्नुहोस्
प्याकेजिङ: MouseReel
ब्रान्ड: Infineon टेक्नोलोजीहरू
कन्फिगरेसन: एकल
पतन समय: ६ एनएस
उचाइ: 2.3 मिमी
लम्बाइ: 6.5 मिमी
उत्पादन प्रकार: MOSFET
उठ्ने समय: ७ एनएस
शृङ्खला: OptiMOS-T2
कारखाना प्याक मात्रा: २५००
उपश्रेणी: MOSFETs
ट्रान्जिस्टर प्रकार: 1 N- च्यानल
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय: ५ एनएस
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय: ५ एनएस
चौडाइ: 6.22 मिमी
भाग # उपनाम: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
एकाइ वजन: ०.०११६४० औंस

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • • N- च्यानल - एन्हान्समेन्ट मोड
    • AEC योग्य
    • MSL1 सम्म 260°C शिखर रिफ्लो
    • 175°C सञ्चालन तापमान
    • हरियो उत्पादन (RoHS अनुरूप)
    • 100% हिमस्खलन परीक्षण गरियो

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